MNOIC設備の概要

設備概要

MNOIC研究支援可能な設備の概要

装置番号	装置名称	概略仕様
【　洗浄装置　】
1	ウェハディップ洗浄装置	ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：ウェットエッチング液による5枚バッチ処理ディップ洗浄･スピン乾燥、前処理用汎用無機ドラフト付属、洗浄プロセス：硫酸/過酸化水素水、希釈フッ酸による洗浄と超純水リンス洗浄
2	ウェハスピン洗浄装置	ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：ウェットエッチング液による枚葉処理スピン洗浄･乾燥、洗浄プロセス：アンモニア/過酸化水素水、塩酸/過酸化水素水、希釈フッ酸による洗浄と超純水リンス洗浄、ウェットアンローダー付属
3	有機ドラフト	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェハの手動有機洗浄作業と有機溶剤含有塗布剤スピンコーティングが可能な局所排気装置、作業面幅1800mm
4	異方性ウェットエッチング装置	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：恒温薬品槽へのウェハディッピングによるシリコン異方性エッチング、超純水リンス洗浄、5枚バッチ全自動搬送処理、ウェハ処理槽内搖動による均一エッチング、エッチング液：TMAH
5	IPAベーパー乾燥機	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェハを5枚バッチでIPAベーパー乾燥、薬液乾燥、IPA蒸気乾燥
58	無機ドラフト	ウエハ寸法：8、12インチ、酸化膜・金属膜のエッチング、またRCA洗浄・HF洗浄など前洗浄（枚葉処理、5枚バッチ処理）超純水洗浄は、一次水洗％汾・sう｡薬液は薬液毎の回収タンクに回収する
77	2流体洗浄装置	ウェハ寸法：個片から8インチまで機能：純水のスプレーでパーティクルを除去する
【　リソグラフィ装置　】
6	i-線ステッパ	ウェハ寸法：8インチウェハ機能：i-線(紫外線)によるレチクルパターンの1/5縮小投影露光最小解像溝幅：0.5μm 使用レチクル：6インチ角、標準レジスト厚さ：1μm
7	マスク露光装置	ウェハ寸法：6、8インチウェハ、機能：ウェハへのマスクアライメント、1：1転写露光、ラージギャップ、高段差露光、裏面アライメント対応、露光モード：バキューム/ハードコンタクト/プロキシミティ露光、アライメント精度：±0.5μm以内、標準レジスト厚さ：1μm、10μm
8	マスクレス露光装置	ウェハ寸法：最大12インチウェハ、機能：DMD光源によるパターン直描露光、描画エリア：最大500mm角、最小画素：1μm×1μm、最小描画ホール径：3μm
59	レジスト塗布現像装置	ウェハ寸法：4，８インチウェハ機能：レジスト2種類選択塗布、アルカリ現像液（NMD-3）、HMDS処理、ベーク処理、自動搬送処理
76	フォトリソ工程用オーブン	ウェハ寸法：最大8インチ機能：フォトリソのプリベークやポストベ
78	リフトオフ装置	ウエハサイズ：4，6，8インチフォトマスク： 6，9インチ剥離液：NMP（80℃，ヒートタンク循環）ダブルJETノズル：MAX 15MPa
【　エッチング装置　】
17	金属膜ドライエッチング装置	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ハロゲン系ガスの高密度ICPによる難加工金属膜のドライエッチング加工、ウェハの腐食防止アッシング加工、カセット･ツー･カセット搬送処理、エッチング終点判定機能付属
18	Si酸化膜ドライエッチング装置	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：フッ素系ガスによるICPドライエッチング、Si酸化膜・Si窒化膜の非ボッシュプロセスによるエッチング加工、カセット･ツー･カセット搬送処理、エッチング終点判定機能付属
19	8"Si深掘ドライエッチング装置	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：フッ素系ガスのICP高密度プラズマによるドライエッチング加工、ボッシュプロセス深堀加工、カセット･ツー･カセット搬送処理、ウェハエッジ保護機能付属
20	12"Si深掘ドライエッチング装置	ウェハ寸法：12インチウェハ、機能：フッ素系ガスのICP高密度プラズマによるドライエッチング加工、ボッシュプロセス深堀加工、カセット･ツー･カセット搬送処理
21	犠牲層ドライエッチング装置	ウェハ寸法：4、6、8インチウェハ、機能：フッ酸ベーパーによるSi酸化膜犠牲層のドライエッチング、終点判定機能付属
22	アッシャー	ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：ウェハの酸素プラズマアッシング、2バッチ処理可能
【　成膜装置　】
13	酸化炉	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：Siウェハへの熱酸化膜形成、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、水素ガス燃焼による水蒸気利用ウェット酸化とドライ酸化、酸化温度：最高1150℃
11	Si酸化膜プラズマCVD装置	ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：TEOS液体ソースのプラズマCVDによるSi酸化膜低温形成、成膜温度：150℃
15	Si窒化膜減圧CVD装置	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：減圧CVDによるSiウェハへの窒化膜形成、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、内部応力制御成膜可能
16	ポリSi減圧CVD装置	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：減圧CVDによるSiウェハへのリンドープ･ポリシリコン膜形成、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様
12	スパッタ	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：3チャンバ構成マグネトロンスパッタによるウェハへの各種金属膜、絶縁膜形成、ターゲットへのDC/RF電圧選択印加可能、標準成膜材料：Au、Pt、Cr、Ti、AL、Mo、W、SiO2、ALN
36	電子ビーム/抵抗蒸着装置	ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：電子ビーム及び抵抗加熱方式真空蒸着、8インチ3枚バッチ、12インチ枚葉処理、標準成膜材料：AL、Au、Cr、成膜速度例：30－60nm/分
72	小口径スパッタ	お問合せください
【　加工装置　】
32	ブレードダイサー	ウェハ寸法：最大12インチウェハ機能：ダイヤモンドブレードによるウェハ切断、ステージ分解能：0.1μm、送り速度：0.1－600mm/s
33	レーザーステルスダイサー	ウェハ寸法：3－8インチウエハ、機能：レーザによる低ダメージ･ドライ切断、カセット･ツー･カセット搬送処理、ステージ分解能：0.1μm、送り速度：1－1000mm/s
37	熱処理装置	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：真空及びN2ガス雰囲気での熱処理、10枚バッチ処理、横型、真空チューブ仕様、最大加熱温度：600℃
38	チップtoウェハ接合装置	ウェハ寸法：4、6、8、12インチ機能：チップ/ウェハ接合、チップ寸法：1-20mm角接合温度：60-400℃ アライメント精度：±0.5μm（繰り返し精度）
39	ウェハtoウェハ接合装置	ウェハ寸法：4、6、8インチ、機能：ウェハ/ウェハ低温接合（陽極接合、プラズマ接合）、接合チャンバ内アライメント機能付属、接合温度：400℃以下（大気圧では250℃以下）、アライメント精度：±0.5μm（繰り返し精度）、プラズマ処理モジュール付属
41	光表面処理装置	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：DeepUV 光照射、ベーキング処理
42	12”ウェハ常温接合装置	ウェハ寸法：最大12インチウェハ機能：FAB照射によるウェハ表面クリーニングと接合を真空チャンバ内で連続処理できる。赤外線カメラによるアライメント可能最大印加可能荷重：200,000N
60	イオンミリング装置	ウェハ寸法：8インチ機能：試料の表面にアルゴンイオンビームを照射し、表面を削ることで、試料の断面観察や表面加工を行う
74	ダイシングフィルム貼付装置	ウェハ寸法：8インチ機能：ダイシングフィルムを貼る
75	保護フィルム貼付装置	ウェハ寸法：8インチ機能：ウェハにフィルムを貼る
79	レーザマーカー	ウエハサイズ：8，12インチレーザー波長：355nm 印字分解能：2μm 除電器併設
80	チップソーター	有効作業エリア：200×200mm 把持ヘッド開閉：0～4mm（微小段差付） 9～13mm（幅広）把持力センサ：MAX 100g、8”グリップリング
【　評価装置　】
10	光学顕微鏡（3D）	ウェハ寸法：最大12インチウェハ機能：光学顕微観察、紫外線フィルター･画像処理機能付属倍率：50-1000倍ステージストローク：350×300mm
23	光学検査顕微鏡	ウェハ寸法：4、6、8インチウェハ、機能：光学顕微鏡観察によるウェハ自動欠陥検査、測定エリア：最大8インチ、最小検出欠陥寸法：2μm
24	段差測定器	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：触針式ウェハ表面形状評価、表面プロファイル及びストレスマッピング機能、先端角20度の鋭角スタイラス付属、測定レンジ：5－300μm、再現性：最小レンジで1nmσ
25	エリプソメーター	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：自動エリプソメトリー、膜厚測定精度：±1nm/100nm厚さ
26	膜厚測定器	ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：反射分光方式非接触膜厚測定、分光曲線フィッティングによる屈折率及び膜厚測定、測定エリア：8インチ径以内、測定膜厚：10nm－40μm、繰り返し精度：0.1%
27	ウェハ塵埃検査装置	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェハ面上の塵埃数測定、ステージ移動によるマッピング及び粒子径分布ヒストグラム表示、カセット･ツー･カセット搬送処理、検出粒子径：0.079－5.0μ
28	干渉型表面形状評価装置	ウェハ寸法：最大8インチウェハ、機能：白色干渉型非接触表面プロファイル測定、垂直分解能：0.1nm
29	シート抵抗プローバー	ウェハ寸法：最大8インチウェハ、機能：セミオート4探針抵抗率／シート抵抗測定、測定範囲：1m-10MΩ/□、測定精度：±1%以下
30	赤外線レーザ顕微鏡	ウェハ寸法：最大12インチウェハ、機能：赤外線レーザによる共焦点顕微観察、各種表面プロファイル分析
31	レーザ顕微鏡	ウェハ寸法：最大12インチウェハ、機能：可視光線レーザによる共焦点顕微観察、各種表面プロファイル分析、光源波長：405nm
34	光学顕微鏡	ウェハ寸法：最大12インチウェハ機能：光学顕微観察、紫外線フィルター･画像処理機能付属倍率：50-1000倍ステージストローク：350×300mm
43	測長SEM	ウェハ寸法：8インチウェハ（ノッチタイプ）片面鏡面研摩ウェハ対応ウエハ厚：625～725um、機能：走査型電子顕微鏡による寸法測定、測長範囲：0.1－2.0μm、解像分解能：3nm、観察倍率：1000－300000倍
44	分析SEM	ウェハ寸法：8インチウェハ（ノッチタイプ）片面鏡面研摩ウェハ対応ウエハ厚：625～725um、機能：走査型電子顕微鏡による寸法測定、測長範囲：0.1－2.0μm、解像分解能：3nm、観察倍率：1000－300000倍
45	超音波顕微鏡	ウェハ寸法：8、12インチ、機能：接合されたウエハなどの内部欠陥（ボイド、クラック、剥離など）の観測
46	赤外線顕微鏡	ウェハ寸法：8インチ、機能：赤外線光源による顕微観察、画像処理機能付属
47	薄膜応力評価装置	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：レーザ光によるウェハ反り量の非接触計測、内部応力値への換算評価、加温中のin-situ計測による応力変化の温度履歴評価機能付属、最高加熱温度：600℃
48	X線CT評価装置	ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：X線CTスキャン顕微鏡観察、チップホルダ付属、取込立体画像/CAD図形変換、観察エリア：最大8インチ、最高分解能：1μm
49	テスタープローバー	ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：プローブカードによる大気中でのウェハレベル電気的特性評価、セミオートウェハ搬送処理、容量計測・周波数解析機能、音響加振機能付属
50	光学顕微鏡（3B）	ウェハ寸法：最大12インチウェハ機能：長焦点深度の光学顕微観察、画像処理機能付属倍率：35-2500倍、ステージストローク：300×250mm
51	圧電定数評価装置	お問合せ下さい
53	ダイシェアテスタ	ウェハ寸法：最大4インチウェハ機能：接合部にせん断方向の力を加え、破壊する際の荷重を測定最大力：２００㎏
69	自動光学顕微鏡	ウェハ寸法：8インチウェハ機能：光学顕微観察、測長システム付属倍率：50-1000倍
70	レーザードップラー測定器	ウェハ寸法：最大8インチウェハ励振：半導体レーザー（可変）計測：He-Neレーザー共振周波数測定：アンリツネットワークアナライザ MS4630B
71	フーリエ変換赤外分光装置	可視画像 / 赤外スペクトル同時観察 (TruView) 分析領域　最小100 μ m□ 計測可能Ｓi膜厚　３～７５０μ m
73	マニュアルプローバ	ウェハ寸法：最大8インチウェハ端子数：SMU1～3，GND ステージ温度：40～200℃（加温時）プローブ針：パラジウム合金（Auパッド用），タングステン