BEANS ＞ 研究拠点 ＞ Gデバイスセンター関西＞ アクセス | 研究成果等 　　　Gデバイスセンター関西 　　センター紹介 Gデバイス@BEANS のアウトライン   Gデバイスセンター関西 センター長　杉山 進 Gデバイスセンター関西 　Gデバイスセンター関西は立命館大学テクノコンプレックス内（びわこ・くさつキャンパス）に研究拠点を有し、関係企業、立命館大学などから研究者が結集。  センター長  杉山 進（立命館大学教授）  副センター長  荒川 雅夫 　 　　研究テーマ 　Gデバイスセンター関西では、Gデバイスセンターとともに研究項目⑤「高機能センサネットシステムと低環境負荷型プロセスの開発」 に関する研究開発を実施しています。Gデバイスセンター関西における研究テーマは以下の通り。 　　（１）高機能センサネットシステム開発 　　　　センサーネットワークシステム開発 　　　　高機能センサーネットモジュール開発 　　（２）低環境負荷型プロセス技術開発 　　　　スマートプロトタイピング開発 　　　　低環境負荷ポリマー・センサー融合プロセスの研究 　 関係資料 Gデバイス@BEANS のアウトライン　（Gデバイスの概要紹介ページ） 「センサネットクリーンルームと8インチMEMSラインの構築 2010.11」 「最先端8インチMEMSライン（TKB812B）の構築 2010.12」 「最先端8インチMEMSライン（TKB812F）の構築 2010.12」 　　コンタクト 　　BEANS研究所 Gデバイスセンター関西 　　　　〒525-8577 滋賀県草津市野路東1-1-1 　　　　立命館大学テクノコンプレックス内（びわこ・くさつキャンパス） 　　　　TEL 077-599-4176 　　FAX 077-599-4177　　アクセス マイクロマシンセンター　　BEANSプロジェクト成果普及 c Micromachine Center　All Rights Reserved.