等方性エッチング 【とうほうせいえっちんぐ:isotropic etching】 

【定 義】 結晶方位及びエネルギービームの方向によって,エッチング速度が変化しないエッチングプロセス。

【解 説】 シリコンの代表的な等方性エッチング液は,HF/HNO3/CH3COOH (HNA)溶液である。

【参考資料】

【関連用語】