【定　義】　加速されたイオンビームによるスパッタリング作用によって加工する技術。

【解　説】　イオン源で発生したイオンを加速しながら反応室に導き、このイオンビームのスパッタリング作用によって除去および付加加工を行う。 イオンの入射方向に沿った加工が可能になるため、試料とイオンの入射角を調整することによって、任意性の高い三次元形状ができる。 また、ビーム径をサブμｍオーダまで絞ると、極微細な加工が行えるようになる。 イオン源としてはArが一般的であるが、加工対象の原子量に依存してスパッタ率（除去原子数／衝撃イオン数）が変わってしまうため、Kr等も用いられる。

【参考資料】 (4)(7)(8)

【関連用語】 反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）､ イオンビームアシスト加工