[ファインMEMSプロジェクト 2006-2008]
研究開発テーマ:MEMS/半導体の一体形成技術の開発

MEMS-半導体縦方向配線技術
(助成事業:オムロン株式会社)
CMOS・LSI2層とMEMS1層以上を縦方向に集積したMEMSデバイスの製造技術を開発する。 CMOS・LSIとMEMSの電気的な縦方向配線には、直径5μm以下、アスペクト比50以上の貫通孔配線を用い、ウェハレベルの接合により、 CMOS・LSIとMEMSの電気的接続を実現する。
 開発者の抱負
 佐々木 昌
 技術本部 先端デバイス研究所 コア技術グループ 主査
我が国製造業の基幹部品であるMEMSデバイスの進展に必須の「縦方向配線技術」を「技術ロードマップ」に基づいて構築することによりMEMS産業の発展に貢献します。