近年需要が急速に拡大しているMEMSデバイスであるが、信頼性評
価技術の確立は遅れているのが現状であり、有効な信頼性手法評価
技術の確立が望まれている。MEMSデバイスの製造には主に半導体集
積回路の製造技術が多様されており、半導体デバイスの構造解析手
法を用いた信頼性評価手法は有望であるが、MEMS特有の機械的構造
や故障モードにより、従来の半導体デバイスの構造解析手法をその
まま活用することは困難である。
　弊社では、MEMSデバイスの信頼性評価手法を新たに構築すること
を目指し、弊社が開発したLSIのウェハプロセス品質評価が可能な
「LSIプロセス診断法」を元に、MEMSデバイスの良品構造解析を実施
した。この結果、MEMSデバイスのプロセス評価システムを新たに構
築し、MEMSデバイス構造の詳細な検査が可能であるとの結果が得ら
れた。